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Publications 

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Title
Author
Journal
Year
doi
High-Temperature Atomic Layer Deposition of Thermal-Oxide-Quality SiO2 Using Methyltrichlorosilane
O. Kim, J.-S. An, T. Chowdhury, C. Kim, K. Khumaini, H.-L. Kim, J.-W. Park, and W.-J. Lee
ACS Appl. Electron. Mater. 8
2026
https://doi.org/10.1021/acsaelm.5c02008
NF3 plasma-enhanced isotropic atomic layer etching of amorphous and crystalline hafnium oxide films
G. Cho, J. Hong, H.-L. Kim, B. Cho, C. Lee, J. Park, and W.-J. Lee
J. Vac. Sci. Technol. A 44
2026
https://doi.org/10.1116/6.0005070
High-temperature high-growth-rate atomic layer deposition of SiO2 using hexamethyldisilylamino-dimethylamino-silane
C. Kim, O. Kim, T. Chowdhury, M.-S. Kim, H.-L. Kim, S. Hong, B.-K. Kim, J. S. Kim, W. Koh, and W.-J. Lee
Appl. Surf. Sci. 723
2026
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2025.165606
Chemisorption of tetrakis(dimethylamido)hafnium on hydroxylated HfO2: A comparative theoretical study with Zr and Ti precursors
Y. R. Sriwijaya, K. Khumaini, H.-L. Kim, and W.-J. Lee
J. Vac. Sci. Technol. A 44
2026
https://doi.org/10.1116/6.0005012
Rapid extraction of the dielectric constant of atomically thin ZrO2 prepared through atomic layer deposition and atomic layer etching
S. Oh, S. Lee, W.-J. Lee, B. Cho, S. Park, and J. Jung
Surf. Interfaces 59
2025
https://doi.org/10.1016/j.surfin.2025.105911
Ligand Effects in Niobium Precursors for Atomic Layer Deposition of Niobium Oxide Films
C.-H. Kim, K. Khumaini, O. Kim, H.-L. Kim, J.-H. Seok, J. W. Park, and W.-J. Lee
ECS J. Solid State Sci. Technol. 14
2025
http://doi.org/10.1149/2162-8777/ae2778
Low-Temperature Thermal Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride Thin Films for Passivation Layers in GaN-Based Light Emitting Diodes
O. Kim, Y. Choi, T. Chowdhury, H. Han, C. Kim, J. Heo, H.-L. Kim, Y.-S. Lee, and W.-J. Lee
ACS Appl. Nano Mater. 8
2025
https://doi.org/10.1021/acsanm.5c01858
Thermal atomic layer etching mechanism of amorphous aluminum oxide by hydrogen fluoride and trimethylaluminum: First-principles study
K. Khumaini, G. Cho, H.-L. Kim, and W.-J. Lee
SURF INTERFACES 72
2025
https://doi.org/10.1016/j.surfin.2025.107114
Effect of Process and Design Parameters in Cu/SiCN Hybrid Bonding Process: A Finite Element Analysis Study
S.-Y. Park, Y. Choi, C.-H. Kim, S.-H. Seo, S. E. Kim, and W.-J. Lee
IEEE Trans. Compon. Packag. Manuf. Technol. 15
2025
http://doi.org/10.1109/TCPMT.2025.3615235
Cyclone-type vaporizer for mass delivery of atomic layer deposition precursors: Simulation and experimental studies
S.-H. Seo, D. Shin, C.-H. Kim, K.-J. Jeong, Y. Lee, D. Kim, H. K. Shin, and W.-J. Lee
J. Vac. Sci. Technol. A 43
2025
https://doi.org/10.1116/6.0004013
Reaction mechanism of atomic layer deposition of zirconium oxide using tris(dimethylamino)cyclopentadienyl zirconium: experimental and theoretical study
​H.-L. Kim, K. Khumaini, O. Kim, Y. R. Sriwijaya, R. Hidayat, and W.-J. Lee
Mater. Adv. 4
2025
https://doi.org/10.1039/D4MA00966E
Growth mechanism of Ge2Sb2Te5 thin films by atomic layer deposition supercycles of GeTe and SbTe
O. Kim, Y. Kim, H.-L. Kim, Z. Wuc, C. Y. Park, D.-H. Ahn, B. J. Kuh, and W.-J. Lee
SURF INTERFACES 53
2024
https://doi.org/10.1016/j.surfin.2024.105101
Chemisorption of silicon tetrachloride on silicon nitride: a density functional theory study
T. Chowdhury, K. Khumaini, R. Hidayat, H.-L. Kim, and W.-J. Lee
PCCP 26
2024
http://doi.org/10.1039/D3CP05799B
High-temperature atomic layer deposition of silicon oxide films using Tris (dimethylamino)silane and ozone
O. Kim, Y. Choi, C. Kim, H.-L. Kim, and W.-J. Lee
Ceram. Int. 50
2024
https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2024.08.343
Etching mechanism of amorphous hydrogenated silicon nitride by hydrogen fluoride
K. Khumaini, Y. Kim, R. Hidayat, T. Chowdhury, H.-L. Kim, B. Cho, S. Park, and W.-J. Lee
Appl. Surf. Sci. 654
2024
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.159414
Chemisorption of tetrakis(dimethylamino)zirconium on zirconium oxide: Density functional theory study
R. Hidayat, H.-L. Kim, Y. R. Sriwijaya, K. Khumaini, and W.-J. Lee
SURF INTERFACES 50
2024
https://doi.org/10.1016/j.surfin.2024.104480
Surface reaction mechanism of atomic layer deposition of niobium oxide: In situ characterization and first-principle study
K. Khumaini, H. Roh, H. Han, H.-L. Kim, H.-S. Kim, J.-H. Seok, J. W. Park, and W.-J. Lee
Appl. Surf. sci. 615
2023
http://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.156340
Selective etching mechanism of silicon oxide against silicon by hydrogen fluoride: a density functional theory study
R. Hidayat, H.-L. Kim, K. Khumaini, T. Chowdhury, T. R. Mayangsari, B. Cho, S. Park, and W.-J. Lee
PCCP 25
2023
http://doi.org/10.1039/D2CP05456F
Gas-phase etching mechanism of silicon oxide by a mixture of hydrogen fluoride and ammonium fluoride: A density functional theory study
R. Hidayat, K. Khumaini, H.-L. Kim, T. Chowdhury, T.R. Mayangsari, S. Cho, B. Cho, S. Park, J. Jung, and W.-J. Lee
J. Vac. Sci. Technol. A 41
2023
http://doi.org/10.1116/6.0002433
A theoretical study on the surface reaction of tetrakis(dimethylamino)titanium on titanium oxide
H.-L. Kim, R. Hidayat, K. Khumaini, and W.-J. Lee
PCCP 25
2023
http://doi.org/10.1039/D3CP02009F
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Patents

 

International patents

 

  1. GeSbTe 막을 형성하는 방법, 2023-01 (출원)

  2. Chuck Pin, Method for Manufacturing a Chuck Pin, Apparatus for Treating a Substrate, 2019-08 (출원)

  3. 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2016-11 (출원)

  4. 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2016-11 (출원)

  5. Won Jun Lee, "Metal Thin Film of Semiconductor Device and Method for Forming Same,” U. S. Pat. No. 6,780,752 (등록일: 2004년 8월 24일)

  6. Won Jun Lee, "Method for Forming an Interconnection in a Semiconductor Device ", U. S. Pat. No. 6,242,340 (등록일: 2001년 6월 5일)

  7. "用於半導體裝置之互連層的製造方法", 중화민국특허 제124,052호 (등록일: 2001년 4월 23일)

  8. "半導體素子のCu薄膜形成方法", 일본 특허 제 2,932,255호 (등록일 1999. 5. 28.)

  9. "半導體素子の銅薄配線形成方法", 일본 특허 제 2,952,591호 (등록일: 1999. 7. 16.)

  10. "Method of Forming a Thin Film of Copper", U. S. Patent No. 5,817,367 (등록일 1998. 10. 6.)

  11. "2層構造の銅擴散防止膜の形成方法", 일본 특허 제 2,782,600호 (등록일: 1998. 5. 22)

 

 

 

Domestic Patents​

  1. 멀티 히팅 영역을 구비한 사이클론 기화기, 2025-11 (등록)

  2. 전구체 공급에 적합한 구조를 갖는 사이클론 기화기, 2025-11 (등록)

  3. 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치, 2025-10 (출원)

  4. 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치, 2025-09 (출원)

  5. 텅스텐 전구체, 이를 이용한 텅스텐 박막 증착 방법 및 증착 장치, 2025-08 (등록)

  6. 텅스텐 전구체, 이를 이용한 텅스텐 박막 증착 방법 및 장치, 2025-07 (등록)

  7. 열 원자층 증착 방법, 이를 이용한 발광 소자의 제조 방법, 및 발광 소자를 포함하는 전자 장치, 2025-05 (출원)

  8. ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및 금속 박막의 형성 방법, 2023-10 (등록)

  9. 도즈량에 따른 선택적 원자층 식각 방법, 2023-08 (출원)

  10. 자기조립단분자막을 이용한 원자층 식각 방법, 2023-02 (출원)

  11. 텅스텐 전구체, 이를 이용한 텅스텐 박막 증착 방법 및 장치, 2022-12 (출원)

  12. 전구체 공급에 적합한 구조를 갖는 사이클론 기화기, 2022-10 (출원)

  13. 멀티 히팅 영역을 구비한 사이클론 기화기, 2022-10 (출원)

  14. ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및 금속 박막의 형성 방법, 2022-09 (출원)

  15. GeSbTe 막을 형성하는 방법, 2022-01 (출원)

  16. 평탄화 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 2021-06 (등록)

  17. 원자층 증착법을 이용한 Ti-Te 막 증착 방법, 및 Ti-Te 분리막을 포함하는 다층 상변화 구조체 및 상변화 메모리 소자, 2021-05 (등록)

  18. 텅스텐 전구체, 이를 이용한 텅스텐 박막 증착 방법 및 증착 장치, 2020-11 (출원)

  19. ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및 금속 박막의 형성 방법, 2020-02 (출원)

  20. 평탄화 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 2019-11 (출원)

  21. 실리콘 질화막의 증착 방법 및 상기 실리콘 질화막의 증착 장치, 2019-04 (등록)

  22. 원자층 증착을 이용한 칼코겐-함유 막의 제조 방법, 2019-02 (등록)

  23. 실리콘 질화막의 증착 방법 및 상기 실리콘 질화막의 증착 장치, 2019-02 (출원)

  24. ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및금속 박막의 형성 방법, 2019-02 (출원)

  25. 다층 상변화 물질막 및 이의 제조 방법,이를 포함하는 상변화 메모리 소자, 2018-12 (등록)

  26. 칼코겐-함유 막 및 이의 제조 방법, 2018-04 (등록)

  27. 원자층 증착법을 이용한 Ti-Te 막 증착 방법, 및 Ti-Te 분리막을 포함하는 다층 상변화 구조체 및 상변화 메모리 소자, 2018-02 (출원)

  28. 실리콘 질화막의 증착 방법 및 상기 실리콘 질화막의 증착 장치, 2017-05 (출원)

  29. 다층 상변화 물질막 및 이의 제조 방법,이를 포함하는 상변화 메모리 소자, 2017-05 (출원)

  30. 반도체 다이의 형상 변화를 이용하여 응력을 감소시킨 유연전자소자 및 그 제조방법, 2017-05 (출원)

  31. 코발트-함유 박막의 제조 방법, 2016-06 (출원)

  32. 중립축 위치가 조절된 유연전자소자 및 그 제조방법, 2016-05 (출원)

  33. 실리콘 질화막의 증착 방법 및 상기 실리콘 질화막의 증착 장치, 2016-04 (출원)

  34. 원자층 증착을 이용한 칼코겐-함유 막의 제조 방법, 2016-04 (출원)

  35. 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2016-01 (등록)

  36. 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2016-01 (출원)

  37. 실리콘 관통전극 구조체 및 이의 열-기계적 응력 예측 방법, 2015-12 (등록)

  38. 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2015-11 (출원)

  39. 불소코팅물품, 불소코팅물품 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2015-11 (출원)

  40. 칼코겐-함유 막 및 이의 제조 방법, 2015-11 (출원)

  41. 산화금속 박막의 제조 방법 및 상기 박막을 이용하는 리튬이차전지, 2015-01 (출원)

  42. 실리콘 관통전극 구조체 및 이의 열-기계적 응력 예측 방법, 2014-10 (출원)

  43. 칼코겐-함유 막 및 이의 제조 방법, 2014-06 (출원)

  44. 서로 다른 젖음성을 갖는 영역들을 구비하는 캐리어 기판, 이를 사용한 소자 기판 처리 방법, 2014-04 (등록)

  45. 박막 전지용 리튬-함유 박막 형성용 타겟 및 이의 제조 방법, 2014-04 (등록)

  46. 전기도금용 구리 금속 박막 및 그의 제조 방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법, 2013-12 (출원)

  47. 박막 증착 장치 및 방법, 2013-12 (등록)

  48. 구리 이온 드리프트의 측정을 위한 구조체 및 이를 이용한 구리 이온 드리프트의 측정 방법, 2013-01 (등록)

  49. 서로 다른 젖음성을 갖는 영역들을 구비하는 캐리어 기판, 이를 사용한 소자 기판 처리 방법, 2012-08 (출원)

  50. 박막 증착 장치 및 방법, 2012-05 (출원)

  51. 금속-공기 전지,그의제조방법,및 상기 금속-공기 전지를 포함하는 전지 모듈, 2011-08 (출원)

  52. 박막 측정 방법 및 박막 측정 장치, 2011-05 (등록)

  53. 구리 이온 드리프트의 측정을 위한 구조체 및 이를 이용한 구리 이온 드리프트의 측정 방법, 2011-03 (출원)

  54. 그래핀 배선 형성 방법, 2011-03 (출원)

  55. 박막 전지용 리튬-함유 박막 형성용 타겟 및 이의 제조 방법, 2011-02 (출원)

  56. 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법, 2011-02 (등록)

  57. 박막 측정 방법 및 박막 측정 장치, 2008-10 (출원)

  58. 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법, 2008-08 (출원)

  59. 다층 절연박막, 2007-09 (등록)

  60. 다층 절연박막의 구조, 2006-08 (출원)

© 2018 by Semiconductor Materials Lab, Sejong University, Seoul, Korea

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