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Publications 

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Title
Author
Journal
Year
doi
Mechanism of surface modification of a porous-coated Ti-6Al-4V implant fabricated by electrical resistance sintering
W. H. Lee, S. J. Kim, W. J. Lee, C. S. Byun, D. K. Kim, J. Y. Kim, C. Y. Hyun, J. G. Lee, and J. W. Park
J. Mater. Sci. 36
2001
https://doi.org/10.1023/A:1017905305737
Crystallization of amorphous WNx films
B.-S. Suh, H.-K. Cho, Y.-J. Lee, W.-J. Lee, and C.-O. Park
J. Appl. Phys. 89
2001
https://doi.org/10.1063/1.1337079
Preparation of nanocrystalline nickel oxide–yttria-stabilized zirconia composite powder by solution combustion with ignition of glycine fuel
S.-J. Kim, W. Lee, W.-J. Lee, S. D. Park, J. S. Song, and E. G. Lee
J. Mater. Res. 16
2001
https://doi.org/10.1557/JMR.2001.0496
Study of bump formation in integrated chemical vapor deposition-physical vapor deposition aluminum filling process
J. W. Lee, B. Y. Kim, S. Y. Han, W.-J. Lee, J. K. Kim, J.-W. Park, J. S. Roh, and Y.-C. Kim
Jpn. J. Appl. Phys. 40
2001
http://doi.org/10.1143/jjap.40.1172
X-ray photoelectron spectroscopic studies of surface modified single-walled carbon nanotube material
W.H. Lee, S.J. Kim, W.J. Lee, J.G. Lee, R.C. Haddon, P.J. Reucroft
Appl. Surf. Sci. 181
2001
https://doi.org/10.1016/S0169-4332(01)00381-6
CVD-PVD aluminum process for DRAM applications
W.-J. Lee, J. J. Kim, S. J. Lee, J. W. Park, and H. L. Park
Proc. IEEE 2001 Int. Interconnect Technol. Conf. (Cat. No.01EX461)
2001
http://doi.org/10.1109/IITC.2001.930022
Integration of Chemical Vapor Deposition Aluminum and Physical Vapor Deposition Aluminum for Aluminum Plug Process of Sub-Quarter Micron Devices
W.-J. Lee, B. Y. Kim, S. Y. Han, J. W. Lee, J. K. Kim, and J.W. Park
Jpn. J. Appl. Phys. 39
2000
http://doi.org/10.1143/jjap.39.1694
Thermally stable tungsten bit-line process flow for the capacitor over bit-line-type dynamic random-access memory
W.-J. Lee, J. Hong, and S.-K. Rha
Jpn. J. Appl. Phys. 39
2000
http://doi.org/10.1143/jjap.39.3344
Improved TiN film as a diffusion barrier between copper and silicon
S.-K. Rha, W.-J. Lee, S.-Y. Lee, Y.-S. Hwang, Y.-J. Lee, D.-I. Kim, D.-W. Kim, S.-S. Chun, and C.-O. Park
Thin Solid Films 320
1998
http://doi.org/10.1016/S0040-6090(97)01077-8
Characterization of TiN barriers against Cu diffusion by capacitance–voltage measurement
S.-K. Rha, S.-Y. Lee, W.-J. Lee, Y.-S. Hwang, C.-O. Park, D.-W. Kim, Y.-S. Lee, and C.-N. Whang
J. Vac. Sci. Technol. B 16
1998
https://doi.org/10.1116/1.590123
Effect of the pressure on the chemical vapor deposition of copper from copper hexafluoroacetylacetonate trimethylvinylsilane
W.-J. Lee, S.-K. Rha, S.-Y. Lee, D.-W. Kim, and C.-O. Park
Thin Solid Films 305
1997
https://doi.org/10.1016/S0040-6090(97)00160-0
Interdiffusions and reactions in Cu/TiN/Ti/Si and Cu/TiN/Ti/SiO2/Si multilayer structures
S.-K. Rha, W.-J. Lee, S.-Y. Lee, D.-W. Kim, C.-O. Park, and S.-S. Chun
J. Mater. Res. 12
1997
https://doi.org/10.1557/JMR.1997.0441
Effects of the partial pressure of copper (I) hexafluoroacetylacetonate trimethylvinylsilane on the chemical vapor deposition of copper
S.-Y. Lee, S.-K. Rha, W.-J. Lee, D.-W. Kim, J.-S. Hwang, and C.-O. Park
Jpn. J. Appl. Phys. 36
1997
https://doi.org/10.1143/JJAP.36.5249
Effects of the integrity of silicon thin films on the electrical characteristics of thin dielectric ONO film
D.-W. Kim, K.-J. Kim, D.-I. Kim, W.-J. Lee, S.-Y. Lee, Y. J. Lee, S.-K. Rha, and C.-O. Park
J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 8
1997
https://doi.org/10.1023/A:1018517423772
Field-aided thermal chemical vapor deposition of copper using Cu(I) organometallic precursor
W.-J. Lee, S.-K. Rha, S.-Y. Lee, and C.-O. Park
J. Electrochem. Soc. 144
1997
http://doi.org/10.1149/1.1837468
Grain growth of copper films prepared by chemical vapour deposition
S.-K. Rha, W.-J. Lee, S.-Y. Lee, D.-W. Kim, and C.-O. Park
J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 8
1997
https://doi.org/10.1023/A:1018510616929
Copper chemical vapour deposition using copper(I) hexafluoroacetylacetonate trimethylvinylsilane
W.-J. Lee, J.-S. Min, S.-K. Rha, S.-S. Chun, C.-O. Park, and D.-W. Kim
J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 7
1996
https://doi.org/10.1007/BF00225633
Effects of the annealing in Ar and H2/Ar ambients on the microstructure and the electrical resistivity of the copper film prepared by chemical vapor deposition
S.-K. Rha, W.-J. Lee, S.-Y. Lee, D.-W. Kim, C.-O. Park, and S.-S. Chun
Jpn. J. Appl. Phys. 35
1996
http://doi.org/10.1143/JJAP.35.5781
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Patents

 

International patents

 

  1. GeSbTe 막을 형성하는 방법, 2023-01 (출원)

  2. Chuck Pin, Method for Manufacturing a Chuck Pin, Apparatus for Treating a Substrate, 2019-08 (출원)

  3. 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2016-11 (출원)

  4. 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2016-11 (출원)

  5. Won Jun Lee, "Metal Thin Film of Semiconductor Device and Method for Forming Same,” U. S. Pat. No. 6,780,752 (등록일: 2004년 8월 24일)

  6. Won Jun Lee, "Method for Forming an Interconnection in a Semiconductor Device ", U. S. Pat. No. 6,242,340 (등록일: 2001년 6월 5일)

  7. "用於半導體裝置之互連層的製造方法", 중화민국특허 제124,052호 (등록일: 2001년 4월 23일)

  8. "半導體素子のCu薄膜形成方法", 일본 특허 제 2,932,255호 (등록일 1999. 5. 28.)

  9. "半導體素子の銅薄配線形成方法", 일본 특허 제 2,952,591호 (등록일: 1999. 7. 16.)

  10. "Method of Forming a Thin Film of Copper", U. S. Patent No. 5,817,367 (등록일 1998. 10. 6.)

  11. "2層構造の銅擴散防止膜の形成方法", 일본 특허 제 2,782,600호 (등록일: 1998. 5. 22)

 

 

 

Domestic Patents​

  1. 멀티 히팅 영역을 구비한 사이클론 기화기, 2025-11 (등록)

  2. 전구체 공급에 적합한 구조를 갖는 사이클론 기화기, 2025-11 (등록)

  3. 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치, 2025-10 (출원)

  4. 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치, 2025-09 (출원)

  5. 텅스텐 전구체, 이를 이용한 텅스텐 박막 증착 방법 및 증착 장치, 2025-08 (등록)

  6. 텅스텐 전구체, 이를 이용한 텅스텐 박막 증착 방법 및 장치, 2025-07 (등록)

  7. 열 원자층 증착 방법, 이를 이용한 발광 소자의 제조 방법, 및 발광 소자를 포함하는 전자 장치, 2025-05 (출원)

  8. ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및 금속 박막의 형성 방법, 2023-10 (등록)

  9. 도즈량에 따른 선택적 원자층 식각 방법, 2023-08 (출원)

  10. 자기조립단분자막을 이용한 원자층 식각 방법, 2023-02 (출원)

  11. 텅스텐 전구체, 이를 이용한 텅스텐 박막 증착 방법 및 장치, 2022-12 (출원)

  12. 전구체 공급에 적합한 구조를 갖는 사이클론 기화기, 2022-10 (출원)

  13. 멀티 히팅 영역을 구비한 사이클론 기화기, 2022-10 (출원)

  14. ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및 금속 박막의 형성 방법, 2022-09 (출원)

  15. GeSbTe 막을 형성하는 방법, 2022-01 (출원)

  16. 평탄화 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 2021-06 (등록)

  17. 원자층 증착법을 이용한 Ti-Te 막 증착 방법, 및 Ti-Te 분리막을 포함하는 다층 상변화 구조체 및 상변화 메모리 소자, 2021-05 (등록)

  18. 텅스텐 전구체, 이를 이용한 텅스텐 박막 증착 방법 및 증착 장치, 2020-11 (출원)

  19. ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및 금속 박막의 형성 방법, 2020-02 (출원)

  20. 평탄화 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 2019-11 (출원)

  21. 실리콘 질화막의 증착 방법 및 상기 실리콘 질화막의 증착 장치, 2019-04 (등록)

  22. 원자층 증착을 이용한 칼코겐-함유 막의 제조 방법, 2019-02 (등록)

  23. 실리콘 질화막의 증착 방법 및 상기 실리콘 질화막의 증착 장치, 2019-02 (출원)

  24. ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및금속 박막의 형성 방법, 2019-02 (출원)

  25. 다층 상변화 물질막 및 이의 제조 방법,이를 포함하는 상변화 메모리 소자, 2018-12 (등록)

  26. 칼코겐-함유 막 및 이의 제조 방법, 2018-04 (등록)

  27. 원자층 증착법을 이용한 Ti-Te 막 증착 방법, 및 Ti-Te 분리막을 포함하는 다층 상변화 구조체 및 상변화 메모리 소자, 2018-02 (출원)

  28. 실리콘 질화막의 증착 방법 및 상기 실리콘 질화막의 증착 장치, 2017-05 (출원)

  29. 다층 상변화 물질막 및 이의 제조 방법,이를 포함하는 상변화 메모리 소자, 2017-05 (출원)

  30. 반도체 다이의 형상 변화를 이용하여 응력을 감소시킨 유연전자소자 및 그 제조방법, 2017-05 (출원)

  31. 코발트-함유 박막의 제조 방법, 2016-06 (출원)

  32. 중립축 위치가 조절된 유연전자소자 및 그 제조방법, 2016-05 (출원)

  33. 실리콘 질화막의 증착 방법 및 상기 실리콘 질화막의 증착 장치, 2016-04 (출원)

  34. 원자층 증착을 이용한 칼코겐-함유 막의 제조 방법, 2016-04 (출원)

  35. 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2016-01 (등록)

  36. 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2016-01 (출원)

  37. 실리콘 관통전극 구조체 및 이의 열-기계적 응력 예측 방법, 2015-12 (등록)

  38. 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2015-11 (출원)

  39. 불소코팅물품, 불소코팅물품 제조 방법 및 기판 처리 장치, 2015-11 (출원)

  40. 칼코겐-함유 막 및 이의 제조 방법, 2015-11 (출원)

  41. 산화금속 박막의 제조 방법 및 상기 박막을 이용하는 리튬이차전지, 2015-01 (출원)

  42. 실리콘 관통전극 구조체 및 이의 열-기계적 응력 예측 방법, 2014-10 (출원)

  43. 칼코겐-함유 막 및 이의 제조 방법, 2014-06 (출원)

  44. 서로 다른 젖음성을 갖는 영역들을 구비하는 캐리어 기판, 이를 사용한 소자 기판 처리 방법, 2014-04 (등록)

  45. 박막 전지용 리튬-함유 박막 형성용 타겟 및 이의 제조 방법, 2014-04 (등록)

  46. 전기도금용 구리 금속 박막 및 그의 제조 방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법, 2013-12 (출원)

  47. 박막 증착 장치 및 방법, 2013-12 (등록)

  48. 구리 이온 드리프트의 측정을 위한 구조체 및 이를 이용한 구리 이온 드리프트의 측정 방법, 2013-01 (등록)

  49. 서로 다른 젖음성을 갖는 영역들을 구비하는 캐리어 기판, 이를 사용한 소자 기판 처리 방법, 2012-08 (출원)

  50. 박막 증착 장치 및 방법, 2012-05 (출원)

  51. 금속-공기 전지,그의제조방법,및 상기 금속-공기 전지를 포함하는 전지 모듈, 2011-08 (출원)

  52. 박막 측정 방법 및 박막 측정 장치, 2011-05 (등록)

  53. 구리 이온 드리프트의 측정을 위한 구조체 및 이를 이용한 구리 이온 드리프트의 측정 방법, 2011-03 (출원)

  54. 그래핀 배선 형성 방법, 2011-03 (출원)

  55. 박막 전지용 리튬-함유 박막 형성용 타겟 및 이의 제조 방법, 2011-02 (출원)

  56. 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법, 2011-02 (등록)

  57. 박막 측정 방법 및 박막 측정 장치, 2008-10 (출원)

  58. 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법, 2008-08 (출원)

  59. 다층 절연박막, 2007-09 (등록)

  60. 다층 절연박막의 구조, 2006-08 (출원)

© 2018 by Semiconductor Materials Lab, Sejong University, Seoul, Korea

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